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电子元器件详细资料 » IC[307] » NTMD6N02R2
型号:NTMD6N02R2类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.92A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1100pF @ 16V
功率_最大730mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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